IT之家4月16日消息，消息源yeux1122昨日(4月15日)发布博文，爆料称三星计划在部分Galaxy S27系列机型上，引入UFS5.0存储，接口速率达10.8GB/s，性能媲美PCIe NVMe Gen5标准。
IT之家查询公开资料，三星Galaxy S26全系标配UFS4.1闪存，在延续UFS4.0最高4.2GB/s峰值读写速度的基础上，引入WriteBooster技术和优化碎片整理，配合AI优化，文件复制速度提升约36%，应用安装速度提升约50%。
根据JEDEC标准显示，UFS5.0闪存芯片可提供最高10.8GB/s的传输速率，这一水平已逼近桌面级PCIe NVMe Gen5标准。对于智能手机而言，这意味着AI模型加载、大文件传输、应用启动等场景将获得质的飞跃。
三星此前曾计划在2027年前后推出UFS5.0，重心仍放在UFS4.0的优化上。但随着AI手机竞争加剧，时间表明显提速。若研发顺利，Galaxy S27Ultra将成为首款搭载该标准的量产机型，为端侧AI运算提供更强硬件支撑。
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